电科材料下属国盛公司硅基氮化镓外延片完成客户交付

发布日期：2024-06-20

据中电材料官微消息，近日，电科材料下属国盛公司研发的硅基氮化镓（GaN on Si）外延片完成客户交付。

第三代半导体氮化镓（GaN）材料具有禁带宽度大、电子饱和速度及电子迁移率高、击穿场强高等特性，在功率与射频领域有广阔的应用前景。硅基氮化镓在具备上述优点的同时兼顾了可低成本、大规模生产的优点，是第三代半导体发展的重要方向。

长期以来，国盛公司把握机遇，面对挑战，破解了硅基氮化镓研发生产的多项核心问题，在2023年12月完成了第一枚硅基氮化镓外延片正式下线，实现了产品多元化布局。半年来，国盛公司持续加大硅基氮化镓产品的攻关力度，不断攻克产品产业化关键技术，进一步提升产品质量，顺利实现产品交付，进入产品试样验证阶段，为未来发展奠定了基础。

后续，国盛公司将坚持以推动第三代半导体材料产业化为己任，加大技术研发力度，提升产业化能力水平，提高市场占有率，为集团公司高质量发展贡献力量。

本文网址：http://www.cnhrde.com/news/393.html

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发布日期：2024-06-20

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